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主题:忆阻器(Memristor)

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忆阻器(Memristor)  发帖心情 Post By:2010-8-29 10:21:24 [只看该作者]

    忆阻器被证实存在 
    按照我们目前的知识,基本的无源电子元件只有3大类,即电阻器、电容器和电感器。而事实上,无源电路中有4大基本变量,即电流、电压、电荷和磁通量。早在1971年加州大学伯克利分校的蔡少棠(LeonChua)教授就提出一种预测:应该有第四个元件的存在。他在其论文《忆阻器:下落不明的电路元件》提出了一类新型无源元件—记忆电阻器(简称忆阻器)的原始理论架构,推测电路有天然的记忆能力。忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可改变其阻值,如果把高阻值定义为“ 1”,低阻值定义为“0”,则这种电阻就可以实现存储数据的功能。
    2008年,美国惠普实验室下属的信息和量子系统实验室的研究人员在英国《自然》杂志上发表论文宣称,他们已经证实了电路世界中的第四种基本元件——— 忆阻器(Memristor)的存在,并成功设计出一个能工作的忆阻器实物模型。在该系统中,固态电子和离子运输在一个外加偏置电压下是耦合在一起的。这一发现可帮助解释过去50年来在电子装置中所观察到的明显异常的回滞电流—电压行为的很多例子。忆阻器器件的最有趣的特征是它可以记忆流经它的电荷数量。其电阻取决于多少电荷经过了这个器件,即让电荷以一个方向流过,电阻会增加;如果让电荷以反向流动,电阻就会减小。简单地说,这种器件在任一时刻的电阻是时间的函数——— 多少电荷向前或向后经过了它。
    目前已经可以通过一些技术途径实现忆阻器,但制约这类新硬件发展的主要问题是电路中的设计。目前还没有忆阻器的设计模型使其用于电路当中。有人预测,这种产品5年后才可能投入商业应用。
    忆阻器将有可能用来制造非易失性存储设备、即开型PC(个人电脑)、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等,甚至可能会通过大大提高晶体管所能达到的功能密度,这将对电子科学的发展历程产生重大影响。


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  发帖心情 Post By:2010-8-29 10:30:20 [只看该作者]

忆阻器


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  基础电子学教科书列出三个基本的被动电路元件:电阻器、电容器和电感器;电路的四大基本变量则是电流、电压、电荷和磁通量。任教于加州大学伯克利分校的蔡少棠(Leon Chua),37年前就预测有第四个元件的存在,即忆阻器(memristor)。简单说,忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可改变其阻值,如果把高阻值定义为“1”,低阻值定义为“0”,则这种电阻就可以实现存储数据的功能。实际上就是一个有记忆功能的非线性电阻器【1】。
  
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事实上从西元两千年始,研究人员就已经在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构(ABO3)的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化,并将其应用到了下一代非挥发性存
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储器-阻抗存储器(RRAM)中【2】-【5】。在工业界,英飞凌,三星,美光,夏普,Unity,Spansion等公司早已经开始了RRAM的研究和产品的开发, 预计未来5年讲会陆续有基于RRAM技术的存储器上市。关于电阻转变的机理目前还有很多争议,但一般认为薄膜中由于氧空位迁移而形成的细丝(filament)是产生电阻变化的原因【6】。


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惠普实验室的研究人员认为RRAM就是Chua所说的忆阻器,其报道的基于TiO2的RRAM器件在08年5月1日的《自然》期刊上发表【7】。加州大学伯克利分校教授蔡少棠,1971年发表《忆阻器:下落不明的电路元件》论文,提供了忆阻器的原始理论架构,推测电路有天然的记忆能力,即使电力中断亦然。惠普实验室的论文则以《寻获下落不明的忆阻器》为标题,呼应前人的主张。蔡少棠接受电话访问时表示,当年他提出论文后,数十年来不曾继续钻研,所以当惠普实验室人员几个月前和他联系时,他吃了一惊。
  RRAM可使手机将来使用数周或更久而不需充电;使个人电脑开机后立即启动;笔记型电脑在电池耗尽之后很久仍记忆上次使用的信息。忆阻器也将挑战掌上电子装置目前普遍使用的闪存,因为它具有关闭电源后仍记忆数据的能力。RRAM将比今日的闪存更快记忆信息,消耗更少电力,占用更少空间。忆阻器跟人脑运作方式颇为类似,惠普说或许有天,电脑系统能利用忆阻器,像人类那样将某种模式(patterns)记忆与关联。
  RRAM为制造非易失性存储设备、即开型PC、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等铺平了道路,未来甚至可能会通过大大提高晶体管所能达到的功能密度,对电子科学的发展历程产生重大影响。
  研究人员表示,忆阻器器件的最有趣特征是它可以记忆流经它的电荷数量。蔡教授原先的想法是:忆阻器的电阻取决于多少电荷经过了这个器件。也就是说,让电荷以一个方向流过,电阻会增加;如果让电荷以反向流动,电阻就会减小。简单地说,这种器件在任一时刻的电阻是时间的函数———或多少电荷向前或向后经过了它。这一简单想法的被证实,将对计算及计算机科学产生深远的影响。


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  有望制成更快更节能的即开型PC
  忆阻器最简单的应用就是作为非易失性阻抗存储器(RRAM),今天的动态随机存储器所面临的最大问题是,当你关闭PC电源时,动态随机存储器就忘记了那里曾有过什么,所以下次打开计算机电源,你就必须坐在那儿等到所有需要运行计算机的东西都从硬盘装入到动态随机存储器。有了非易失性随机存储器,那个过程将是瞬间的,并且你的PC会回到你关闭时的相同状态。
  研究人员称,忆阻器可让手机在使用数周或更久时间后无需充电,也可使笔记本电脑在电池电量耗尽后很久仍能保存信息。忆阻器也有望挑战目前数码设备中普遍使用的闪存,因为它具有关闭电源后仍可以保存信息的能力。利用这项新发现制成的芯片,将比目前的闪存更快地保存信息,消耗更少的电力,占用更少的空间。
  为开发模拟式计算机铺平道路
  忆阻器还能让电脑理解以往搜集数据的方式,这类似于人类大脑搜集、理解一系列事情的模式,可让计算机在找出自己保存的数据时更加智能。比如,根据以往搜集到的信息,忆阻器电路可以告诉一台微波炉对于不同食物的加热时间。当前,许多研究人员正试图编写在标准机器上运行的计算机代码,以此来模拟大脑功能,他们使用大量有巨大处理能力的机器,但也仅能模拟大脑很小的部分。研究人员称,他们现在能用一种不同于写计算机程序的方式来模拟大脑或模拟大脑的某种功能,即依靠构造某种基于忆阻器的仿真类大脑功能的硬件来实现。其基本原理是,不用1和0,而代之以像明暗不同的灰色之中的几乎所有状态。这样的计算机可以做许多种数字式计算机不太擅长的事情———比如做决策,判定一个事物比另一个大,甚至是学习。这样的硬件可用来改进脸部识别技术,应该比在数字式计算机上运行程序要快几千到几百万倍。


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惠普在忆阻器设计上再次取得重大突破

科技部门户网站 www.most.gov.cn2010年04月13日

 

美国惠普公司科学家4月8日在《自然》杂志上撰文表示,他们在忆阻器(memristor)设计上取得重大突破,发现忆阻器可进行布尔逻辑运算,用于数据处理和存储应用。科学家认为,公众将在3年内看到忆阻器电路,其或许可取代目前似乎已经处于“穷途末路”的硅晶体管,最终改变整个电脑行业。

  目前,最先进的晶体管的大小为30纳米到40纳米,比一个生物病毒还小(一个生物病毒约为100纳米),惠普纳米技术研究实验室的资深专家斯坦·威廉姆斯表示,惠普现正着手研究3纳米级的忆阻器,开、关的时间只需要十亿分之一秒。

  他表示,3年内,该公司生产的基于忆阻器的闪存,1平方厘米将可以存储20G字节,这项技术有望成为低功耗计算机以及存储系统发展的里程碑。

  忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻器,1971年由美国加州大学伯克利分校的电子工程师蔡少棠教授首次提出,但当时还没有纳米技术,他的发现因此被搁浅。

  直到2008年5月,惠普科学家在《自然》杂志撰文指出,他们终于成功研制出世界首个忆阻器。通过向其施加方向、大小不同的电压,可以改变其阻值。如果利用其不同阻值代表数字信号,在半导体电路中实现数据存储也大有前途。

  忆阻器不同于电容器、电感器和电阻器这3种基本电路元件的地方是,忆阻器在关掉电源后,仍能记忆通过的电荷。这意味着,如果突然停机,然后重新启动,用户关机之前打开的所有应用程序和文件仍在屏幕上。目前,这种用途还不能被任何电阻器、电容器和电感器的电路组合所复制,因此,有业内专家认为,忆阻器是电子工程领域第4种基本电路元件。

  研究人员去年在《美国国家科学院院刊》上撰文指出,他们设计出了一种新方法,可以从三维忆阻器阵列中存储和恢复数据。新方案可让设计人员以类似搭建摩天大楼的方式堆叠成千上万个忆阻器,创造出逼近极限的超致密计算设备。

  威廉姆斯称,2008年到现在,其团队一直在提升忆阻器的开关速度,研究人员在实验室中测试证明,它们能够可靠地进行成千上万次读写。

  此外,忆阻器也不同于IBM、英特尔等公司研发的新型存储芯片相变存储器(PCM),PCM利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在,这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。惠普公司表示,PCM的开关速度比较慢,可能需要更多的能量。

[此贴子已经被作者于2010-08-29 10:36:45编辑过]


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我了个擦
声学基础课上王老板提过这东西

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