标题：[讨论]10inch低Q值低Vas 低F0 扬声器的设计

1楼

jealer 发表于：2007-4-12 9:07:39

扬声器功率约150-200W,阻抗8ohm,要求F0=25 Qts=0.4 Vas<38L

目前我的设计方法是把边做硬点,加重整个振动系统,不知道大家有没有其它设计方法,

2楼

jma 发表于：2007-4-12 11:54:47

没有，不知道如何设计，

偶ＩＱ很低的．

3楼

lucning 发表于：2007-4-12 12:29:14

FO25,Vas38L,怎么做,听高手讲解

4楼

Jurry 发表于：2007-4-12 13:39:51

赶紧找个位置。。。。。

听听高手。。。的讲解。。。

5楼

jealer 发表于：2007-4-16 8:02:49

还有人可以给个意见吗???

6楼

spk888 发表于：2007-4-16 8:55:35

以下是引用jealer在2007-04-16 08:02:49的发言：
还有人可以给个意见吗???

您干脆把自己的设计想法直接说出来吧,加硬边的话对VAS是有减少,可是对FO需要20HZ的单元来说未免有些吃力,再说了这么低的FO要做200W有难度,我看要是不拿失真做牺牲的话是难已达到要求的.

LZ可考虑用宽边(我也只会这招了)

7楼

jma 发表于：2007-4-16 10:29:16

以下是引用spk888在2007-04-16 08:55:35的发言：

LZ可考虑用宽边(我也只会这招了)

楼主，还是直接将自己的想法说出来，包括材料的参数也都说出来；

如果你不说，这不＝让别人给你设计喇叭了？

8楼

500WAN 发表于：2007-4-16 17:13:14

最直接的方法把振動面積做小。

9楼

一张专辑 发表于：2007-4-16 23:05:38

用3”或4”音圈；180MM-200MM磁铁，也可用钕铁硼磁铁试试，关键是散热。

10楼

spk888 发表于：2007-4-17 8:43:44

才200W散热成不了关键.参数才是.

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标题：[讨论]10inch低Q值 低Vas 低F0 扬声器的设计