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2.2K,2V的测试条件,话筒在外加电阻为3.2K的灵敏度居然比2.2K时的高,请问这正常么?是什么原因呢?
我觉得回复值的商确,为什么呢?场效应管和三极管虽然相似但不能这样比较,场效应管是通过栅极来调节输出的,三极管不一样,三极的基极要提供合适工作电压,才工作,至于接大电阻灵敏度还会高,估计是电压肯定不是2V,或电路中肯定有与原来不一样,或测试条件有变化。
由于做咪头不多,不知这样解释是否正确?欢迎指正。
加电阻容易理解,加电压为什么也会灵敏度升高呢。
既然是恒流源。
呵,不要估计。我的解释是没问题的。理解这个问题的关键是FET是恒流源,当小电阻换为大电阻的时候,FET的电流没有变,根据欧姆定律,输出电压(信号电压)就会增大,只要做个简单的实验就知道了,您在测试米头的时候,改变漏极电阻,观察电流变没变?
晶体管与FET在本质上是类似的,都是通过控制极来控制输出端的电流或者电压。FET也并非不需要偏压,只是采用自生偏压而已。我举例晶体管济电极电路主要是要说明输出电阻RD的功能,类比于晶体管电路中的RC,如果对晶体管电路熟悉,理解米头的RD就不困难。
“采用自生偏压”这个概念没听过,如果不接咪头振动组,即G极无源状态,FET在工作吗?在所有MOS管电路中,MOS管工作在截止区,也可工作在可变电阻区,恒流是有条件的,当UGS大于开启电压后,在UDS比较大时,ID仅决定于UGS,与UDS几乎无关。恒流区一过就是激穿区,用欧姆定律分析可变量,是不是结果也是变化的?如有说的不好请见谅。
“采用自生偏压”这个概念没听过,如果不接咪头振动组,即G极无源状态,FET在工作吗?在所有MOS管电路中,MOS管工作在截止区,也可工作在可变电阻区,恒流是有条件的,当UGS大于开启电压后,在UDS比较大时,ID仅决定于UGS,与UDS几乎无关。恒流区一过就是激穿区,用欧姆定律分析可变量,是不是结果也是变化的?如有说的不好请见谅。
是的 之前是恒定的
但测试电阻继续上加到8K左右时 灵敏度也就不增加了
加电阻容易理解,加电压为什么也会灵敏度升高呢。
既然是恒流源。
看看管芯的ID-VDS曲线就明白了,在VGS恒定的情况下,随着VDS值得增加,ID渐变,是一条缓缓向上的斜线,这就是为什么增加电阻咪头的灵敏度变化比增加电压咪头的灵敏度变化大的原因。同样,电压增加到10V就不能再增加了,这和管芯设计的耐压值有关。而咪头的灵敏度是输出电压和声压之比,在声压不变的情况下,决定咪头灵敏度的当属输出电压了。