标题：麦克风的电磁屏蔽

大家都来讨论一下麦克风的电磁屏蔽设计关键点吧。
我认为有3个最关键的点，抛砖引玉一下：
1、声孔对电磁波的泄漏
2、封边不良造成屏蔽体的不连续性
3、PCB大面积接地程度

论坛上有帖说，栅环的形状也有影响，欢迎大家继续讨论。
希望大家别吝啬，整点有深度的！

电磁波的孔洞效应：
 

孔洞对电磁波的衰减可以用下面公式进行计算 这里假设孔洞深度为0

在远场区：SE=100-20lgL-20lgf+20lg(1+2.3lg(L/H))

       若L≥λ/2，则SE=0 dB ，这时，孔洞是完全泄漏的

    式中： L=缝隙的长度（mm），H=缝隙的宽度（mm），f=入射电磁波的频率（MHz）

这个公式是在远场区中，最坏的情况下（造成最大泄漏的极化方向）的屏蔽效能（实际情况下屏蔽效能可能会更大一些） 

 

在近场区：

若辐射源是电场辐射源   SE=48+20lgZC-20lgLf+20lg(1+2.3lg(L/H))

若辐射源是磁场辐射源   SE=20lg（πD/L）+20lg(1+2.3lg(L/H))

    式中：ZC=辐射源电路的阻抗（Ω），D=孔洞到辐射源的距离（m）， L、 H =孔洞的长、宽（mm）， f=电磁波的频率（MHz）

上面公式来自网上，似乎有误，对于磁场辐射源的计算，D的单位似乎应该是mm，而不是M。

对于手机来说，辐射源为低电压，大电流，应为磁场波。又麦克风至辐射源位置 一般在100mm以内，为近场磁场波。
按上述公司计算，2mm声孔的屏蔽效能为43.9dB！

又学到了不少的东西，谢谢楼主
不过希望别的 高手也不要吝啬自己的 想法，多 给点建议或秘诀。

同意楼上仁兄的看法,最近有深度的贴子不多了

对于麦克风而言，我们更多关注的 是900MHz~2.4GHz，而且是近场的。
近场的电磁波分为：电场波、磁场波。但是在这么高频率下，无论电场波还是磁场波，屏蔽效能都主要是靠 吸收损耗！
吸收损耗主要和趋肤深度有关，因此选择趋肤深度小的屏蔽材料最关键

此主题相关图片如下：untitled.jpg

按照上述理论，选择坡莫合金做屏蔽材料，似乎效果非常好（高频段趋肤深度很小），可实际上，此合金主要是用来做开关变压器的磁芯、电感磁芯用，很少或者从来还没见过用来做屏蔽体，具体什么原因，不祥，希望各路高手指点！

要研究干扰，不是研究有没有干扰，电磁场在现在这个条件都有是有的，主要是它在不在你所在频率上产生谐波等，象咪头那么小的一个产品研究电磁辐射，近乎有点过了，因为屏蔽房的网孔比它还大，如果按这个条件，那是不是屏蔽房没用了，但我没听过那些测无线麦克风的反应过，还不如把精力用在研究后面线路防干扰上。

不知道gzdaas有没有遇到过麦克风遇到干扰而产生的TMDA噪声、TDD噪声。。。。。噪声等。
这些噪声，我想，不仅仅是从后面电路传导进来的吧，它也有可能是辐射进来的。
个人见解！

wdele,点击图片，在新窗口打开就可以看清楚了。
或者保存图片也行